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OTF-1200X-PLD是一款多靶激光濺射混合霧化沉積管式爐，此款設備主要包括混氣裝置，加熱爐，基片加熱腔體、靶材濺射腔體和氣壓控制系統組成?？膳c準分子激光器配合，進行脈沖激光蒸發鍍膜，而且靶材濺射腔體內可安裝3塊靶材，可依次對3中不同靶材進行激光脈沖蒸發。此款設備特別適合制作多元化合物薄膜。

雙溫區管式爐系列是通過CE認證的，其Z高溫度可達到1200℃，并可通過調節兩個溫區的控溫程序使爐管內溫場形成一溫度梯度。兩個溫區分別由兩個獨立的溫控系統來控制，而且都為PID30段程序化控溫。此系列管式爐 可以用CVD方法來生長納米材料和制備各種薄膜.

小型真空管式爐是一款通過CE認證的小型高溫管式爐，其爐管采用的是高純氧化鋁剛玉管，加熱元件為硅碳棒。儀器本身帶有兩個真密封法蘭（法蘭上已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥）?？刂葡到y采用高精度可控硅移相觸發控制，其控溫精度為+/-1°C，控溫方式采用30段程序設置，Z高溫度可達到1400℃。

OTF-1200X-HP-30A是一款小型的高溫高壓管式爐，其爐管法蘭上安裝有高壓電磁閥和壓力傳感器，所以當管內氣壓高于設定值時，電磁閥會自動打開排氣，使管內氣壓達到設定值。其爐管采用鎳基合金鋼管制作，其尺寸為30mm O.D x 12 mm I.D x 560 mm L。此款可在高壓氧環境或惰性氣體環境下對樣品進行熱處理，Z高溫度可達1100℃。所以特別是對于超導材料及介電材料的探索研究，

OTF-1200X-VTHPΦ60是一款雙溫區立式高溫高壓爐，爐管采用鎳基合金鋼管制作，具有較高的蠕變強度和抗氧化性。爐管可承受的Z高溫度為1100℃（在此溫度下可承受的壓力為5MPa).此款設備適合用水浴法制備材料，也特別適合在高壓氧環境下對樣品進行熱處理。法蘭上安裝有電磁閥，當爐管內壓力高于設定值時，電磁發自動打開排出氣體減小管內氣壓。

OTF-1200X-4-VT-II是通過CE認證的雙溫區立式管式爐，其爐管直徑可制作為100mm,適合于對樣品在真空或氣氛保護環境下進行吊燒和淬火。爐體下端安裝有一移動架以方便與移動。采用PID方式進行溫度調節，可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/- 1 ℃.